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产品名称:技术参数:费斯托FESTO位移传感器

产品型号:MME-MTS-2000-TLF-AIF

产品报价:

产品特点:技术参数:费斯托FESTO位移传感器
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MME-MTS-2000-TLF-AIF技术参数:费斯托FESTO位移传感器的详细资料:

技术参数:费斯托FESTO位移传感器
特性参数:

标称阻值:电位器上面所标示的阻值。
重复精度:此参数越小越好。
分辨率:位移传感器所能反馈的小位移数值.此参数越小越好.导电塑料位移传感器分辨率为无穷小。
允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示电位器的精度。允许误差般只要在±20%以内就符合要求,因为般位移传感器是以分压的方式来使用,具体电阻的大小对传感器的数据采集没有影响。
线性精度:直线性误差.此参数越小越好。
寿命:导电塑料位移传感器都在200万次以上。
位移传感器应用于障碍处理:使用角度传感器来控制你的轮子可以间接的发现障碍物。原理非常简单:如果马达角度传感器构造运转,而齿轮不转,说明你的机器已经被障碍物给挡住了。此技术使用起来非常简单,而且非常有效;要求就是运动的轮子不能在地板上打滑(或者说打滑次数太多),否则你将无法检测到障碍物。
个空转的齿轮连接到马达上就可以避免这个问题,这个轮子不是由马达驱动而是通过装置的运动带动它:在驱动轮旋转的过程中,如果惰轮停止了,说明你碰到障碍物了。
它的测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变,并使其在个梯度均匀的磁场中移动,则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大,灵敏度越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统:a系统的线性范围窄,位移Z=0时,霍耳电势≠0;b系统当Z<2毫米时具有良好的线性,Z=0时,霍耳电势=0;c系统的灵敏度高,测量范围小于1毫米。图中N、S分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长,因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。

技术参数:费斯托FESTO位移传感器

实际图片:

温度系数 15 ppm/K
行程 2,000 mm
输出信号 CAN 协议, 类型 SPC-AIF
额定工作电压 DC 24 V
许用压力波动 -15 % / +20 %
大电流消耗 90 mA
电连接 插头
圆形设计
符合 DIN 45322
6针
设计结构 封闭的型材
带滑块
平行偏移, 连接处 ± 1,5 mm

 

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